Моя заявка (0)

BC847BMB,315, 15nA 45V 250mW 200@2mA,5V 100mA 100MHz 200mV@100mA,5mA NPN +150°C@(Tj) DFN-3(1x0.6) BIpolar TransIstors - BJT

BC847BMB,315, 15nA 45V 250mW 200@2mA,5V 100mA 100MHz 200mV@100mA,5mA NPN +150°C@(Tj) DFN-3(1x0.6) BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017632867
Артикул
BC847BMB,315
Бренд
Nexperia B.V.
Вес, г
0.01
Структура
npn
Технология
Si
Вид монтажа
SMD/SMT
Цена по запросу
(от 4,25 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 45V NPN 100mA 250mW

Технические параметры

Вес, г0.01
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокDFN1006B-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности250 mW
Другие названия товара №934065886315
Размер фабричной упаковки10000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток100 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Максимальный постоянный ток коллектора200 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер200 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.450
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц100
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz