Моя заявка (0)

BC847BLP-7B, Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K

BC847BLP-7B, Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004613224
Артикул
BC847BLP-7B
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
BC847B
Вес, г
9
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 56,01 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:BC847B
Вес, г9
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:DFN1006-3
Power Dissipation1Вт
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Transistor Polarity:NPN
DC Current Gain hFE Min200hFE
Pd - Power Dissipation:400 mW
Квалификация-
Gain Bandwidth Product fT:100 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:6 V
Continuous Collector Current100мА
Collector Emitter Voltage Max45В
Collector- Base Voltage VCBO:50 V
Continuous Collector Current:100 mA
Maximum DC Collector Current:100 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min:200
DC Усиление Тока hFE200hFE
Линейка ПродукцииBC847 Series
Частота Перехода ft100МГц
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:200 mV
Полярность ТранзистораNPN
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:10000
Стиль Корпуса ТранзистораX1-DFN1006
Максимальная Рабочая Температура150°C

Техническая документация