Моя заявка (0)

BC847BFZ-7B, Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R

BC847BFZ-7B, Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8013482256
Артикул
BC847BFZ-7B
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
1
Серия
BC847B
Power Dissipation
925мВт
Структура
npn
Цена по запросу
(от 32 ₽)
Минимальный заказ: 10000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN SS Trans 435mW 45Vceo 0.435W 125mV

Технические параметры

Вес, г1
СерияBC847B
Power Dissipation925мВт
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
DC Current Gain hFE Min200hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Квалификация-
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокDFN0606-3
Continuous Collector Current100мА
Collector Emitter Voltage Max45В
DC Усиление Тока hFE200hFE
Линейка ПродукцииBC847 Series
Частота Перехода ft180МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности350 mW
Размер фабричной упаковки10000
Стиль Корпуса ТранзистораX2-DFN0606
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток100 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Максимальный постоянный ток коллектора200 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер200 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.450
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)300 MHz

Техническая документация