Моя заявка (0)
BC847BFAQ-7B, DFN-3(0.8x0.6) BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025032189
Артикул
BC847BFAQ-7B
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.03
Технология
Si
Вид монтажа
SMD/SMT
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Цена по запросу
(от 13 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor

Технические параметры

Вес, г0.03
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокX2-DFN0806-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности435 mW
Размер фабричной упаковки10000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток100 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Максимальный постоянный ток коллектора100 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер122 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.470
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)170 MHz

Техническая документация