Моя заявка (0)

BC847BDW1T1G,Bipolar Transistor Array, General Purpose, Dual NPN, 45 V, 100 mA, 380 mW

BC847BDW1T1G,Bipolar Transistor Array, General Purpose, Dual NPN, 45 V, 100 mA, 380 mW

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8845201638
Артикул
BC847BDW1T1G
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
6
Вес, г
0.006
Package Type
SOT-363(SC-88)
Корпус
SOT-23
Цена по запросу
(от 19 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный транзистор NPN/NPN, 45 В, 0.1 А, 0.25

Технические параметры

Pin Count6
Вес, г0.006
Package TypeSOT-363(SC-88)
КорпусSOT-23
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN
Структура2 x npn
Minimum DC Current Gain200
Transistor ConfigurationIsolated
Maximum Power Dissipation380 mW
Maximum Operating Frequency100 MHz
Number of Elements per Chip2
Maximum DC Collector Current100 mA
Maximum Emitter Base Voltage6 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage50 V
кол-во в упаковке3000
Maximum Collector Emitter Voltage45 V
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт0.25
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)100 mA | 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин200…450
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В45
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В50

Техническая документация