Транзистор BC847B Nexperia
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8040897018
- Артикул
- BC847B
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Тип
- Транзистор биполярный кремниевый n-p-n структуры серии BC847
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.04
- Package Type
- SOT-23(TO-236AB)
Цена по запросу
(от 6,60 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Интернет-магазин предлагает биполярный транзистор BC847B . Транзисторы биполярные BC847B – трёхэлектродный полупроводниковый компонент, у которого электроды подключаются к последовательно расположенным слоям полупроводников с чередующейся примесной проводимостью. Пластиковый корпус SOT23 для поверхностного монтажа с тремя выводами. NPN транзистор общего назначения.
Технические параметры
| Тип | Транзистор биполярный кремниевый n-p-n структуры серии BC847 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.04 |
| Package Type | SOT-23(TO-236AB) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Мощность | рассеиваемая коллектора(Pк max)-250 мВт |
| Описание | 45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors |
| Упаковка | REEL |
| Назначение | универсальное |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Power Dissipation (Pd) | 250mW |
| Minimum DC Current Gain | 200 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 250 mW |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Конфигурация: | Single |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@2mA, 5V |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Характеристика | произведение Кус.х ширина полосы пропускания(fT)-100 МГц |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
| Максимальный ток | коллектора(Iк max)-0.1 А |
| Тип проводимости | NPN |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 15nA |
| Чувствительность | к влажности MSL1 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
| Рабочая температура: | - 65 C + 150 C |
| Коэффициент усиления | hfe max-200(при 2 мА, 5 В) |
| Hfe при напряжении к-э, В | 5 |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 45V |
| Hfe при токе коллектора, А | 0.002 |
| Полярность транзистора: | NPN |
| Pd - рассеивание мощности: | 250 mW |
| Коэффициент усиления hFE мин. | 200 |
| Диапазон рабочих температур | -65…+150 °С |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO): | 6 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@5mA, 100mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO): | 50 V |
| Диапазон рабочих температур, оС | -65…150 |
| Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В | 45 |
| Максимально допустимое напряжение | коллектор-эмиттер(Uкэ max)-45 В; коллектор-база(Uкб max)-50 В; эмиттер-база(Uэб max)-6 В |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*39*39/45000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 0.2 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора: | 100 mA |
| Максимальный постоянный ток коллектора, А | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока hfe мин | 200 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: | 200 at 2 mA, 5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): | 200 at 2 mA, 5 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): | 100 MHz |