Моя заявка (0)

BC847B, Транзистор: NPN, биполярный, 45В, 0,1А, 250мВт, SOT23

BC847B, Транзистор: NPN, биполярный, 45В, 0,1А, 250мВт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002505233
Артикул
BC847B
Бренд
Diotec Semiconductor
Вид
NPN
Тип
биполярный
Version
NPN
Assembly
SMD
Цена по запросу
(от 7,92 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор биполярный BC847B от DIOTEC отличается надежностью и эффективностью в работе. Данный NPN транзистор, предназначенный для монтажа на поверхность (SMD), является идеальным решением для массы электронных применений. С максимальным током коллектора в 0,1 А и напряжением коллектор-эмиттер в 50 В, он обеспечивает стабильную работу в вашей схеме. Мощность устройства составляет 0,25 Вт, что позволяет ему справляться с различными задачами без перегрева. Компактный корпус SOT23 упрощает интеграцию транзистора в самые мелкомасштабные проекты. Воспользуйтесь BC847B для повышения эффективности ваших электронных устройств. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN Монтаж SMD Ток коллектора, А 0.1 Напряжение коллектор-эмиттер, В 50 Мощность, Вт 0.25 Корпус SOT23

Технические параметры

ВидNPN
Типбиполярный
VersionNPN
AssemblySMD
MilitaryNo
EnclosureSOT-23
Frequency100 MHz
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveYes
Вес, г0.02
Min DC gain200 mA
КорпусSOT-23
МонтажSMD
ConfigurationSingle
Supplier PackageSOT-23
Collector current100 mA
Power dissipation0.25 W
Saturation voltage600 mV
Структураnpn
Max DC amplification450 mA
ПолярностьNPN
Standard Package NameSOT-23
Мощность, Вт0.25
Minimum DC Current Gain200@2mA@5V
Transit frequency fTmin300 MHz
max. operating temperature150 °C
min. operating temperature-55 °C
Number of Elements per Chip1
Коэфф. передачи290
Operating Temperature - (??C)-55~150
Ток коллектора, А0.1
Maximum Power Dissipation - (mW)250
Maximum DC Collector Current - (A)0.1
Maximum Emitter Base Voltage - (V)6
Maximum Collector Base Voltage - (V)50
Maximum Transition Frequency - (MHz)300(Typ)
Maximum Collector-Emitter Voltage - (V)45
max.voltage between collector and base Vcbo50 V
max.voltage between collector and emitter Vceo45 V
Напряжение коллектор-эмиттер, В50
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт250мВт
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В45

Техническая документация