BC847B-13-F, Bipolar Transistors - BJT NPN Small SIG 50V 45V VCEO 6.0V VEBO
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005058127
- Артикул
- BC847B-13-F
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 17,84 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN Small SIG 50V 45V VCEO 6.0V VEBO
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.01 |
| Серия | BC847B |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Configuration | Single |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Структура | npn |
| Standard Package Name | SOT-23 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 200 2mA 5V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 350 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 50 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Operating Junction Temperature (°C) | -65 to 150 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 45 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 15 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.7(Typ)0.5mA 10mA|0.9(Typ)5mA 100mA |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.25 0.5mA 10mA|0.6 5mA 100mA |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.2 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.2 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 450 at 2 mA at 5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at 2 mA at 5 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |