BC847AWT1G, Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005368626
- Артикул
- BC847AWT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.01
- Длина
- 2.1 mm
- Серия
- BC847AW
Цена по запросу
(от 13,97 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: NPN
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 2.1 mm |
| Серия | BC847AW |
| Package Type | SOT-323(SC-70) |
| Высота | 0.85 mm |
| Ширина | 1.24 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 110 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 150 mW |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SC-70-3 |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.6 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 90 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |