Моя заявка (0)

Diodes Inc BC847AW-7-F NPN Transistor, 100 mA, 45 V, 3-Pin SOT-323

Diodes Inc BC847AW-7-F NPN Transistor, 100 mA, 45 V, 3-Pin SOT-323

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014596429
Артикул
BC847AW-7-F
Бренд
DIODES INC.
Pin Count
3
Вес, г
1
Длина
2.2 mm
Серия
BC847A
Цена по запросу
(от 19 ₽)
Минимальный заказ: 250 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN BIPOLAR

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г1
Длина2.2 mm
СерияBC847A
Package TypeSOT-323(SC-70)
Высота1 mm
Корпусsot-323
Ширина1.35 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Minimum DC Current Gain110
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation200 mW
Maximum Operating Frequency100 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-323-3
Maximum DC Collector Current100 mA
Maximum Emitter Base Voltage6 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage50 V
Maximum Collector Emitter Voltage45 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности200 mW
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)100 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Максимальный постоянный ток коллектора200 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер600 mV
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)300 MHz

Техническая документация