BC847AW,115, Транзистор: NPN, биполярный, 45В, 0,2А, 200мВт, SOT323
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002500843
- Артикул
- BC847AW,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Вес, г
- 0.02
- Длина
- 2.2 mm
- Высота
- 1 mm
- Корпус
- sot-323
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Биполярный транзистор BC847AW производства компании NEXPERIA предназначен для использования в современных электронных устройствах. Этот компонент обладает высокой надежностью и длительным сроком службы. Монтаж транзистора выполнен в SMD-формате, что позволяет легко интегрировать его в печатные платы с поверхностным монтажом. Коллекторный ток достигает 0,2 А, а напряжение коллектор-эмиттер составляет 45 В, что говорит о хорошей производительности устройства. Мощность транзистора ограничена 0,2 Вт, что делает его идеальным выбором для низковольтных применений. Входящий в состав транзистор типа NPN, помещен в компактный корпус SOT323, обеспечивающий простую установку и минимальное занимаемое пространство на плате. Это делает BC847AW,115 идеальным решением для массового производства и DIY-проектов. Код товара для заказа: BC847AW115. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN Монтаж SMD Ток коллектора, А 0.2 Напряжение коллектор-эмиттер, В 45 Мощность, Вт 0.2 Корпус SOT323
Технические параметры
| Вес, г | 0.02 |
| Длина | 2.2 mm |
| Высота | 1 mm |
| Корпус | sot-323 |
| Ширина | 1.35 mm |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Другие названия товара № | 934021760115 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.2 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |