BC847AQBZ, Bipolar Transistors - BJT BC847AQB/SOT8015/ DFN1110D-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006229355
- Артикул
- BC847AQBZ
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Вес, г
- 0.0016
- Power Dissipation
- 420мВт
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 14,95 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TRANS BIPOLAR
Технические параметры
| Вес, г | 0.0016 |
| Power Dissipation | 420мВт |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| DC Current Gain hFE Min | 110hFE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | DFN1110D-3 |
| Continuous Collector Current | 100мА |
| Collector Emitter Voltage Max | 45В |
| DC Усиление Тока hFE | 110hFE |
| Линейка Продукции | BC847xQB |
| Частота Перехода ft | 100МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 340 mW |
| Другие названия товара № | 934660996147 |
| Размер фабричной упаковки | 5000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | DFN1110D |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 220 at 2 mA, 5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 110 at 2mA, 5 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |