Моя заявка (0)

Bipolar junction transistor, NPN/NPN, 100 mA, 65 V, SMD, SOT-363, BC846S

Bipolar junction transistor, NPN/NPN, 100 mA, 65 V, SMD, SOT-363, BC846S

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8057424161
Артикул
BC846S
Бренд
Diotec Semiconductor
Brand:
Diotec Semiconductor
Series:
BCXXX
Version
NPN/NPN
Assembly
SMD
Цена по запросу
(от 11,34 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

NPN-транзистор, BC846S, DIOTEC NPN-транзистор SMD общего назначения. Особенности Два транзистора в одном корпусе Приложения Обработка сигналов Переключение Усиление

Технические параметры

Brand:Diotec Semiconductor
Series:BCXXX
VersionNPN/NPN
AssemblySMD
EnclosureSOT-363
Frequency100 MHz
Tradename:BC846S
Вес, г0.05
Min DC gain200 mA
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-363
Manufacturer:Diotec Semiconductor
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-363
Collector current100 mA
Power dissipation0.25 W
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Saturation voltage600 mV
Структураnpn
Max DC amplification450 mA
Transistor Polarity:NPN
Pd - Power Dissipation:250 mW
Transit frequency fTmin300 MHz
DC Current Gain hFE Max:270
Gain Bandwidth Product fT:100 MHz
max. operating temperature150 °C
min. operating temperature-55 °C
Emitter- Base Voltage VEBO:6 V
Collector- Base Voltage VCBO:80 V
Maximum DC Collector Current:100 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:65 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:650 mV
max.voltage between collector and base Vcbo80 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
max.voltage between collector and emitter Vceo65 V
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)100 mA

Техническая документация