BC846S,Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 65 V, 100 mA, 250 mW
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050716363
- Артикул
- BC846S
- Бренд
- Diotec Semiconductor
- Brand:
- Diotec Semiconductor
- Series:
- BCXXX
- Version
- NPN/NPN
- Assembly
- SMD
Цена по запросу
(от 36 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы BCx Биполярные транзисторы Diotec Semiconductor BCx - это NPN-транзисторы общего назначения. К этим транзисторам также относятся Si-эпитаксиальные планарные транзисторы общего назначения (BCx). Биполярные транзисторы BCx разделены на три группы в зависимости от иx коэффициента усиления по току. Рассеиваемая мощность транзисторов BCx составляет 500 МВт. Эти биполярные транзисторы выпускаются в пластиковом корпусе TO-92 и соответствуют стандартам RoHS, REACH и conflict minerals. Типичные области применения включают коммутацию, обработку сигналов и коммерческие приложения.
Технические параметры
| Brand: | Diotec Semiconductor |
| Series: | BCXXX |
| Version | NPN/NPN |
| Assembly | SMD |
| Enclosure | SOT-363 |
| Frequency | 100 MHz |
| Tradename: | BC846S |
| Вес, г | 2.747 |
| Min DC gain | 200 mA |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Diotec Semiconductor |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-363 |
| Collector current | 100 mA |
| Power dissipation | 0.25 W |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Saturation voltage | 600 mV |
| Структура | npn |
| Max DC amplification | 450 mA |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Pd - Power Dissipation: | 250 mW |
| Transit frequency fTmin | 300 MHz |
| DC Current Gain hFE Max: | 270 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V |
| Maximum DC Collector Current: | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 65 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 650 mV |
| max.voltage between collector and base Vcbo | 80 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| max.voltage between collector and emitter Vceo | 65 V |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA |