BC846BPDW1T1G, Транзистор, NPN/PNP, 65В, 0.1А, 0.38Вт, hFE=200…475 [SOT-363.]
![BC846BPDW1T1G, Транзистор, NPN/PNP, 65В, 0.1А, 0.38Вт, hFE=200…475 [SOT-363.]](https://static.epl-electro.ru/lib/728/DOC017728775.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000439702
- Артикул
- BC846BPDW1T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Series:
- BC846BPDW1
- Вес, г
- 0.05
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 6,90 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор NPN / PNP, биполярный, кОмплементарная пара, 65В
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Series: | BC846BPDW1 |
| Вес, г | 0.05 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | SC-70-6 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Transistor Polarity: | NPN, PNP |
| Pd - Power Dissipation: | 380 mW |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V |
| Continuous Collector Current: | 0.1 A |
| Maximum DC Collector Current: | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 150 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 65 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 600 mV, 650 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |