Моя заявка (0)

BC846BM3T5G, Транзистор маломощный SOT323

BC846BM3T5G, Транзистор маломощный SOT323

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8057749823
Артикул
BC846BM3T5G
Бренд
ON Semiconductor***
Category
Bipolar Small Signal
Mounting
Surface Mount
Frequency
100(MHz)
Packaging
Tape and Reel
Цена по запросу
(от 17,51 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 100mA 80V NPN

Технические параметры

CategoryBipolar Small Signal
MountingSurface Mount
Frequency100(MHz)
PackagingTape and Reel
Pin Count3
Вес, г0.1
Длина1.2 mm
СерияBC846BM3
Output PowerNot Required(W)
Package TypeSOT-723
Rad HardenedNo
Высота0.5 mm
КорпусSOT-323 | SOT723
Ширина0.8 mm
ConfigurationSingle
DC Current Gain150
Power Dissipation0.64(W)
Number of Elements1
Transistor PolarityNPN
Emitter-Base Voltage6(V)
Operating Temp Range-55C to 150C
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (DC)0.1(A)
Collector-Base Voltage80(V)
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Collector-Emitter Voltage65(V)
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSOT-723-3
кол-во в упаковке8000
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Operating Temperature ClassificationMilitary
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности265 mW
Размер фабричной упаковки8000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток0.1 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)80 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.65 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.6 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)150
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz

Техническая документация