BC846BM3T5G, Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V NPN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006256016
- Артикул
- BC846BM3T5G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Category
- Bipolar Small Signal
- Mounting
- Surface Mount
- Frequency
- 100(MHz)
- Packaging
- Tape and Reel
Цена по запросу
(от 13,97 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 100mA 80V NPN
Технические параметры
| Category | Bipolar Small Signal |
| Mounting | Surface Mount |
| Frequency | 100(MHz) |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.0013 |
| Длина | 1.2 mm |
| Серия | BC846BM3 |
| Output Power | Not Required(W) |
| Package Type | SOT-723 |
| Rad Hardened | No |
| Высота | 0.5 mm |
| Корпус | SOT723 |
| Ширина | 0.8 mm |
| Configuration | Single |
| DC Current Gain | 150 |
| Power Dissipation | 0.64(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Emitter-Base Voltage | 6(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (DC) | 0.1(A) |
| Collector-Base Voltage | 80(V) |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Collector-Emitter Voltage | 65(V) |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-723-3 |
| кол-во в упаковке | 8000 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 265 mW |
| Размер фабричной упаковки | 8000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 65 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.6 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 150 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |