BC846BLT3G, Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V NPN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005368622
- Артикул
- BC846BLT3G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.02
- Package Type
- SOT-23
- Корпус
- SOT-23-3
Цена по запросу
(от 8,82 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы общего назначения NPN кремниевые, 65 В 100 мА 100 МГц 300 МВт для поверхностного монтажа SOT-23-3 (TO-236)
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.02 |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Power Dissipation (Pd) | 300mW |
| Minimum DC Current Gain | 200 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@2mA, 5V |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 15nA |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 65 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 65V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 600mV@5mA, 100mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100mA |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 80 |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 65 |