BC846BLT1G, Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V NPN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006213895
- Артикул
- BC846BLT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- EU RoHS
- Compliant
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 8,82 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 65В, 0,1А, 300мВт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 2.9мм |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Высота | 0.94мм |
| Корпус | SOT-23 |
| Ширина | 1.3мм |
| Configuration | Single |
| Размеры | 0.94 x 2.9 x 1.3мм |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Описание | Биполярный NPN транзистор, 65 В, 0.1 А, 0.225 Вт |
| Упаковка | REEL, 3000 шт. |
| Структура | npn |
| Standard Package Name | SOT |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Minimum DC Current Gain | 200 2mA 5V |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | NPN |
| Число контактов | 3 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 300 |
| Тип проводимости | NPN |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 80 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 65 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 15 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.7(Typ)0.5mA 10mA|0.9(Typ)5mA 100mA |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.6 5mA 100mA|0.25 0.5mA 10mA |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Максимальная рабочая частота | 100 МГц |
| Максимальное рассеяние мощности | 300 мВт |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В | 65 |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный пост. ток коллектора | 100 mA |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 57*48*27/60000 |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 6 В |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.225 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 0.225 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 80 V |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
| Максимальный постоянный ток коллектора, А | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 200…450 |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 65 V |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 0,9 В |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,6 В |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 200 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 65 |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 80 |