Моя заявка (0)

BC846BHZGT116, Bipolar Transistors - BJT SOT-23 BJT NPN 65V 120MA

BC846BHZGT116, Bipolar Transistors - BJT SOT-23 BJT NPN 65V 120MA

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006228183
Артикул
BC846BHZGT116
Бренд
Rohm
Вес, г
1
Корпус
SOT-23(TO-236)
Упаковка
Reel, Cut Tape
Power Dissipation
200мВт
Цена по запросу
(от 46 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT TRANS DIGITAL NPN

Технические параметры

Вес, г1
КорпусSOT-23(TO-236)
УпаковкаReel, Cut Tape
Power Dissipation200мВт
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
DC Current Gain hFE Min200hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокSOT-23-3
Continuous Collector Current120мА
Collector Emitter Voltage Max65В
DC Усиление Тока hFE200hFE
Частота Перехода ft300МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности350 mW
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-23
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток120 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)80 V
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора120 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер170 mV
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.450
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)300 MHz

Техническая документация