BC846B, Транзистор биполярный,NPN, 80В, 100мА, 250мВт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8049172385
- Артикул
- BC846B
- Бренд
- Diotec Semiconductor
- Case
- SOT23
- I(C)
- 0.1 A
- P(tot)
- 0.25 W
- V(CBO)
- 80 V
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Биполярный транзистор BC846B от DIOTEC с монтажом SMD отличается током коллектора 0,1 А, напряжением коллектор-эмиттер 65 В и мощностью 0,25 Вт. Этот NPN транзистор имеет корпус SOT23, что делает его идеальным выбором для компактных электронных схем. Он отличается высокой надежностью и стабильностью в работе. Транзистор BC846B подходит для широкого спектра областей применения, включая усилители и переключатели в различных электронных устройствах. Продукт BC846B обеспечивает оптимальную производительность для вашей электроники. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN Монтаж SMD Ток коллектора, А 0.1 Напряжение коллектор-эмиттер, В 65 Мощность, Вт 0.25 Корпус SOT23
Технические параметры
| Case | SOT23 |
| I(C) | 0.1 A |
| P(tot) | 0.25 W |
| V(CBO) | 80 V |
| V(CEO) | 65 V |
| Package | SOT23 |
| Version | NPN |
| Assembly | SMD |
| Military | No |
| Mounting | SMD |
| Enclosure | SOT-23 |
| Frequency | 300MHz |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Вес, г | 0.02 |
| Min DC gain | 200 mA |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Current gain | 200…450 |
| Manufacturer | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| Polarisation | bipolar |
| Корпус | SOT-23(TO-236)| TO236 |
| Configuration | Single |
| Kind of package | reel, tape |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Collector current | 0.1A |
| Power dissipation | 250mW |
| Saturation voltage | 600 mV |
| Type of transistor | NPN |
| Структура | npn |
| Max DC amplification | 450 mA |
| Полярность | NPN |
| Standard Package Name | SOT-23 |
| Minimum DC Current Gain | 200@2mA@5V |
| Transit frequency fTmin | 300 MHz |
| Collector-emitter voltage | 65V |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Коэфф. передачи | 450 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 250 |
| Maximum DC Collector Current - (A) | 0.1 |
| Maximum Emitter Base Voltage - (V) | 6 |
| Maximum Collector Base Voltage - (V) | 80 |
| Maximum Transition Frequency - (MHz) | 300(Typ) |
| Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) | 65 |
| max.voltage between collector and base Vcbo | 80 V |
| max.voltage between collector and emitter Vceo | 65 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 250мВт |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 80 |