BC817DPN,115
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8509035305
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand
- Nexperia
- Series
- BC817
- Packaging
- Cut Tape or Reel
- Pin Count
- 6
Цена по запросу
(от 12,59 ₽)
Минимальный заказ: 26 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор NPN/PNP, 45 В, 0.5 А, 0.6W
Технические параметры
| Brand | Nexperia |
| Series | BC817 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 0.07 |
| Длина | 3.1 mm |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | Nexperia |
| Package Type | SOT-457(SC-74) |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Высота | 1 mm |
| Корпус | TSSOP-6 | TSSOP6 |
| Ширина | 1.7 mm |
| Configuration | Dual |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-457-6 |
| Part # Aliases | BC817DPN T/R |
| Transistor Type | NPN/PNP |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Transistor Polarity | NPN, PNP |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 600 mW |
| DC Current Gain HFE Max | 160 |
| Minimum DC Current Gain | 160 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product FT | 100 MHz, 80 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 600 mW |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-457-6 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 50 V |
| Maximum DC Collector Current | 500 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 160 |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 45 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 700 mV |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 600 mW |
| Другие названия товара № | BC817DPN T/R |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 500 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 700 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 160 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 160 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz, 80 MHz |