Моя заявка (0)

BC817-40W,135, Bipolar Transistors - BJT SOT323 45V .5A NPN GP TRANS

BC817-40W,135, Bipolar Transistors - BJT SOT323 45V .5A NPN GP TRANS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8045756774
Артикул
BC817-40W,135
Бренд
Nexperia B.V.
PPAP
No
Type
NPN
EU RoHS
Compliant
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 3,74 ₽)
Минимальный заказ: 10000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-11

Технические параметры

PPAPNo
TypeNPN
EU RoHSCompliant
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Вес, г1
Длина2.2 mm
СерияBC817
PCB changed3
Part StatusActive
Высота1 mm
Корпусsot-323
Ширина1.35 mm
ConfigurationSingle
Product CategoryBipolar Small Signal
Supplier PackageSC-70
Структураnpn
ТехнологияSi
Standard Package NameSOT
Вид монтажаSMD/SMT
Minimum DC Current Gain250@100mA@1V|40@500mA@1V
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Supplier Temperature GradeAutomotive
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-323-3
Maximum Power Dissipation (mW)290
Maximum DC Collector Current (A)0.5
Maximum Emitter Base Voltage (V)5
Maximum Collector Base Voltage (V)50
Maximum Transition Frequency (MHz)100(Min)
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-65
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)45
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)100
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности200 mW
Другие названия товара №934021940135
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.7@50mA@500mA
Размер фабричной упаковки10000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Максимальный постоянный ток коллектора500 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер700 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.250 at 100 mA, 1 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)250 at 100 mA, 1 V, 40 at 500 mA, 1 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz

Техническая документация