BC817-40, Транзистор биполярный,NPN, 45В, 800мА, 310мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8049172914
- Артикул
- BC817-40
- Бренд
- Diotec Semiconductor
- I(C)
- 0.8 A
- P(tot)
- 0.31 W
- V(CBO)
- 50 V
- V(CEO)
- 45 V
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Биполярный транзистор BC817-40 от DIOTEC представляет собой высококачественный компонент в классе NPN, предназначенный для SMD монтажа. С током коллектора 0,8 А и напряжением коллектор-эмиттер 45 В, этот транзистор способен обеспечить стабильную работу в различных электронных схемах. С мощностью 0,31 Вт и компактным корпусом SOT23, BC817-40 идеально подходит для использования в мобильных устройствах, бытовой электронике и других областях применения, где требуется надежность и эффективность. Модель BC81740 гарантирует высокое качество и долговечность благодаря проверенному производителю DIOTEC. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN Монтаж SMD Ток коллектора, А 0.8 Напряжение коллектор-эмиттер, В 45 Мощность, Вт 0.31 Корпус SOT23
Технические параметры
| I(C) | 0.8 A |
| P(tot) | 0.31 W |
| V(CBO) | 50 V |
| V(CEO) | 45 V |
| Package | SOT23 |
| Version | NPN |
| Assembly | SMD |
| Military | No |
| Enclosure | SOT-23 |
| Frequency | 50 MHz |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 0.03 |
| Min DC gain | 250 mA |
| Power - Max | 310 mW |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Current gain | 400 |
| Polarisation | NPN |
| Корпус | SOT-23(TO-236)| SOT23-3 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Collector current | 800 mA |
| Power dissipation | 0.31 W |
| Saturation voltage | 700 mV |
| Структура | npn |
| Max DC amplification | 630 mA |
| Полярность | NPN |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Standard Package Name | SOT-23 |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Minimum DC Current Gain | 250@100mA@1V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3(TO-236) |
| Transit frequency fTmin | 100 MHz |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Коэфф. передачи | 400 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA(ICBO) |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 310 |
| Maximum DC Collector Current - (A) | 0.8 |
| Maximum Emitter Base Voltage - (V) | 5 |
| Maximum Transition Frequency - (MHz) | 100(Typ) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 100mA, 1V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) | 45 |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
| max.voltage between collector and emitter Vceo | 45 V |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |