BC817-40-7-F, Транзистор NPN, биполярный, 45В, 800мА, 310мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8065569243
- Артикул
- BC817-40-7-F
- Бренд
- DIODES INC.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.21.0075
- Series
- Automotive, AEC-Q101 ->
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Цена по запросу
(от 8 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN BIPOLAR
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Series | Automotive, AEC-Q101 -> |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.02 |
| Power - Max | 310mW |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Длина: | 3.05 mm |
| Серия: | BC817 |
| Package Type | SOT-23 |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Высота: | 1 mm |
| Ширина: | 1.4 mm |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Base Product Number | BC817 -> |
| Operating Temperature | -65В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Технология: | Si |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 250 |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Тип продукта: | BJTs - Bipolar Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 310 mW |
| Конфигурация: | Single |
| Подкатегория: | Transistors |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Производитель: | Diodes Incorporated |
| Maximum DC Collector Current | 500 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Торговая марка: | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок: | SOT-23-3 |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
| Категория продукта: | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 100mA, 1V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Полярность транзистора: | NPN |
| Pd - рассеивание мощности: | 310 mW |
| Размер фабричной упаковки: | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO): | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO): | 50 V |
| Минимальная рабочая температура: | - 65 C |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора: | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 700 mV |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): | 170 at 300 mA, 1 V |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): | 100 MHz |