BC817-25W,115, Транзисторы малосигнальные NEXPERIA
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003647921
- Артикул
- BC817-25W,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.21.0075
- Series
- Automotive, AEC-Q101 ->
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Цена по запросу
(от 2,28 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 45В, 0,5А, 200мВт, SOT323 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Series | Automotive, AEC-Q101 -> |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.05 |
| Длина | 2.2 mm |
| Серия | BC817 |
| Power - Max | 200mW |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Package Type | UMT |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 1 mm |
| Ширина | 1.35 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Transistor Type | NPN |
| Base Product Number | BC817 -> |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Pd - Power Dissipation | 200mW |
| Особенности | - |
| Minimum DC Current Gain | 160 |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 200 mW |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Maximum DC Collector Current | 500mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 45V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 100mA, 1V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Другие названия товара № | 934021930115 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 160 at 100 mA, 1 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 160 at 100 mA, 1 V, 40 at 500 mA, 1 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |