BC817-25Q-7-F, Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005058114
- Артикул
- BC817-25Q-7-F
- Бренд
- DIODES INC.
- ECCN
- EAR99
- PPAP
- Yes
- Type
- NPN
- HTSUS
- 8541.21.0075
Цена по запросу
(от 37 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| PPAP | Yes |
| Type | NPN |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Series | Automotive, AEC-Q101 -> |
| EU RoHS | Compliant |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.11 |
| Серия | BC817-16Q / -25Q / -40Q |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 350mW |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Base Product Number | BC817 -> |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -65В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Minimum DC Current Gain | 160@100mA@1V|100@300mA@1V |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 350 |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.5 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 50 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 100(Min) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 100mA, 1V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 45 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 100 |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.7@50mA@500mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.5 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.7 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |