Моя заявка (0)

BC817-25-TP, Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

BC817-25-TP, Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001035424
Артикул
BC817-25-TP
Бренд
Micro Commercial Components Corp. (MCC)
ECCN
EAR99
PPAP
No
Type
NPN
HTSUS
8541.21.0075
Цена по запросу
(от 10 ₽)
Минимальный заказ: 11000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 45В, 0,5А, 300мВт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

ECCNEAR99
PPAPNo
TypeNPN
HTSUS8541.21.0075
EU RoHSCompliant
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
СерияBC817
PCB changed3
Part StatusActive
Power - Max310mW
RoHS StatusROHS3 Compliant
REACH StatusREACH Unaffected
КорпусSOT-23
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor TypeNPN
Product CategoryBipolar Small Signal
Supplier PackageSOT-23
Структураnpn
Base Product NumberBC817 ->
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Standard Package NameSOT
Вид монтажаSMD/SMT
Frequency - Transition100MHz
Minimum DC Current Gain160 100mA 1V|40 500mA 1V
Supplier Device PackageSOT-23
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаMicro Commercial Components (MCC)
Упаковка / блокSOT-23-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector (Ic) (Max)800mA
Maximum Power Dissipation (mW)300
Current - Collector Cutoff (Max)100nA
Maximum DC Collector Current (A)0.5
Maximum Emitter Base Voltage (V)5
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Maximum Transition Frequency (MHz)100(Min)
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce160 @ 100mA, 1V
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)45
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)100
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)45V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности300 mW
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.7 50mA 500mA
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток500 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт0.225
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.5
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.1 uA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.7 V
Статический коэффициент передачи тока h21э мин160…400
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.600
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В45
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В50

Техническая документация