BC817-25_R1_00001, 100nA 45V 330mW 160@100mA,1V 500mA 100MHz 700mV@500mA,50mA NPN -55-~+150-@(Tj) SOT-23-3 Bipolar Transistors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015899269
- Артикул
- BC817-25_R1_00001
- Бренд
- PanJit Semiconductors
- Brand:
- Panjit
- Вес, г
- 0.29
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 9,60 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Panjit |
| Вес, г | 0.29 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-23-3(TO-236) |
| Manufacturer: | Panjit |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 330 mW |
| DC Current Gain hFE Max: | 400 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
| Continuous Collector Current: | 500 mA |
| Maximum DC Collector Current: | 500 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 160 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 45 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 700 mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |