BC817-25, Транзистор DIO
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026370087
- Артикул
- BC817-25
- Бренд
- Diotec Semiconductor
- Version
- NPN
- Assembly
- SMD
- Military
- No
- Enclosure
- SOT-23
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор биполярный BC817-25 от известного производителя DIOTEC – это высококачественный компонент для поверхностного монтажа (SMD), предназначенный для использования в различной электронной аппаратуре. Модель отличается типом NPN, что делает её универсальным выбором для коммутационных и усилительных цепей. Ток коллектора данного транзистора составляет 0,8 А, что обеспечивает достаточную проводимость для широкого спектра применений, а напряжение коллектор-эмиттер в 45 В позволяет работать с существенными напряжениями. Мощность устройства составляет 0,31 Вт, что свидетельствует о его способности работать в условиях умеренной нагрузки. Компактный корпус SOT23 обеспечивает лёгкую интеграцию в печатные платы. Ищите надёжные компоненты для вашей техники? Транзистор BC81725 – это то, что вам нужно. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN Монтаж SMD Ток коллектора, А 0.8 Напряжение коллектор-эмиттер, В 45 Мощность, Вт 0.31 Корпус SOT23
Технические параметры
| Version | NPN |
| Assembly | SMD |
| Military | No |
| Enclosure | SOT-23 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Вес, г | 0.03 |
| Min DC gain | 160 mA |
| Power - Max | 310 mW |
| Корпус | sot23 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Collector current | 800 mA |
| Power dissipation | 310 mW |
| Max DC amplification | 400 mA |
| Полярность | NPN |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Standard Package Name | SOT-23 |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Minimum DC Current Gain | 160@100mA@1V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3(TO-236) |
| Transit frequency fTmin | 100 MHz |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Коэфф. передачи | 160 |
| Operating Temperature - (??C) | 100(Typ) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA(ICBO) |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 310 |
| Maximum DC Collector Current - (A) | 0.8 |
| Maximum Emitter Base Voltage - (V) | 5 |
| Maximum Transition Frequency - (MHz) | -55~150 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 100mA, 1V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) | 45 |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
| max.voltage between collector and emitter Vceo | 45 V |