Моя заявка (0)

BC817,215, Транзистор: NPN, биполярный, 45В, 0,5А, 250мВт, SOT23

BC817,215, Транзистор: NPN, биполярный, 45В, 0,5А, 250мВт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8022643329
Артикул
BC817,215
Бренд
Nexperia B.V.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Series
Automotive, AEC-Q101 ->
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Цена по запросу
(от 5,80 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 45В, 0,5А, 250мВт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.21.0075
SeriesAutomotive, AEC-Q101 ->
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
VersionNPN
AssemblySMD
EnclosureSOT-23
Pin Count3
Вес, г0.02
Длина3 mm
СерияBC817
Min DC gain100 mA
Power - Max250mW
RoHS StatusROHS3 Compliant
Package TypeSOT-23(TO-236AB)
REACH StatusREACH Unaffected
Высота1 mm
КорпусSOT-23
Ширина1.4 mm
Mounting TypeSurface Mount
Rated current500 mA
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor TypeNPN
Collector current500 mA
Power dissipation0.345 W
Saturation voltage700 mV
Структураnpn
Base Product NumberBC817 ->
Max DC amplification600 mA
ТехнологияSi
Operating Temperature150В°C (TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Frequency - Transition100MHz
Pd - Power Dissipation250mW
Minimum DC Current Gain100
Supplier Device PackageTO-236AB
Transit frequency fTmin100 MHz
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation250 mW
max. operating temperature150 °C
min. operating temperature-65 °C
Maximum Operating Frequency100 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-23-3
Maximum DC Collector Current500mA
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector (Ic) (Max)500mA
Maximum Collector Base Voltage50 V
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Maximum Collector Emitter Voltage45 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage45V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 100mA, 1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)45V
max.voltage between collector and base Vcbo50 V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности250 mW
max.voltage between collector and emitter Vceo45 V
Другие названия товара №933589520215
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт0.25
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.5
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.5 A
Статический коэффициент передачи тока h21э мин100…600
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В45
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В45

Техническая документация