Моя заявка (0)

BC817-16LT3G, Транзистор: NPN; биполярный; 45В; 0,5А; 0,3Вт; SOT23

BC817-16LT3G, Транзистор: NPN; биполярный; 45В; 0,5А; 0,3Вт; SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017566068
Артикул
BC817-16LT3G
Бренд
ON Semiconductor***
PPAP
No
Type
NPN
EU RoHS
Compliant
Material
Si
Цена по запросу
(от 5,51 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

45 В 300 МВт при 100 мА, 1 В 500 мА на биполярныx транзистораx NPN SOT-23-3 - BJT ROHS

Технические параметры

PPAPNo
TypeNPN
EU RoHSCompliant
MaterialSi
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.03
PCB changed3
Part StatusActive
КорпусSOT-23(TO-236)
ConfigurationSingle
Transistor TypeNPN
Product CategoryBipolar Small Signal
Supplier PackageSOT-23
Структураnpn
Operating Temperature-65℃~+150℃@(Tj)
Standard Package NameSOT
Collector Current (Ic)500mA
Power Dissipation (Pd)300mW
Minimum DC Current Gain40 500mA 1V|100 100mA 1V
Transition Frequency (fT)100MHz
Number of Elements per Chip1
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)100@100mA, 1V
Maximum Power Dissipation (mW)300
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Maximum DC Collector Current (A)0.5
Maximum Emitter Base Voltage (V)5
Maximum Collector Base Voltage (V)50
Maximum Transition Frequency (MHz)100(Min)
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)45
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)100
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)45V
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.7 50mA 500mA
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)700mV@500mA, 50mA
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт0.3

Техническая документация