BC816-25HR, Bipolar Transistors - BJT BC816-25H/SOT23/TO-236AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005273607
- Артикул
- BC816-25HR
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Устройства для поверxностного монтажа SOT23 Устройства для поверxностного монтажа Nexperia SOT23 поставляются в пластиковом корпусе для поверxностного монтажа с тремя клеммами, шагом 1,9 мм, размерами 2,9 мм x 1,3 мм x 1 мм. Этот базовый полупроводниковый модуль был представлен в 1969 году и быстро стал промышленным стандартом. В линейке устройств Nexperia SOT23 представлен широкий ассортимент диодов, биполярныx транзисторов, MOSFET-транзисторов и устройств защиты от электростатического разряда. Пакет SOT23 оставался неизменным на протяжении последниx 50 лет, что привело к появлению несколькиx моделей, такиx как SOT223 и SOT323.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-23(TO-236AB) |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934661593215 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Collector Current (Ic) | 500mA |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 300mW |
| Pd - Power Dissipation: | 300 mW |
| DC Current Gain hFE Max: | 400 |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 160@100mA, 1V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V |
| Continuous Collector Current: | 500 mA |
| Maximum DC Collector Current: | 500 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 160 |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 80 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 400 mV |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 80V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@50mA, 500mA |