BC808-25LT1G, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8470592061
- Артикул
- BC808-25LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.002
- Длина
- 2.9 mm
- Серия
- BC808
- Высота
- 0.94 mm
Цена по запросу
(от 17 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 25В, 0,5А, 300мВт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP
Технические параметры
| Вес, г | 0.002 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | BC808 |
| Высота | 0.94 mm |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Ширина | 1.3 mm |
| Структура | pnp |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 225 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.5 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 25 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.7 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 160 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |