Моя заявка (0)

BC808-25LT1G, Транзистор: PNP, биполярный, 25В, 0,5А, 300мВт, SOT23

BC808-25LT1G, Транзистор: PNP, биполярный, 25В, 0,5А, 300мВт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017548285
Артикул
BC808-25LT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.02
Длина
2.9 mm
Серия
BC808
Высота
0.94 mm
Цена по запросу
(от 5,83 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: PNP, биполярный, 25В, 0,5А, 300мВт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP

Технические параметры

Вес, г0.02
Длина2.9 mm
СерияBC808
Высота0.94 mm
КорпусSOT-23(TO-236)
Ширина1.3 mm
Структураpnp
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSOT-23-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности225 mW
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток0.5 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт300мВт
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.5
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.25 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.5 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.7 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)160
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В25

Техническая документация