Моя заявка (0)

BC807-40LT1G, Транзистор: PNP, биполярный, 45В, 0,5А, 225мВт, SOT23

BC807-40LT1G, Транзистор: PNP, биполярный, 45В, 0,5А, 225мВт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8067883659
Артикул
BC807-40LT1G
Бренд
ON Semiconductor***
PPAP
No
Type
PNP
EU RoHS
Compliant
Material
Si
Цена по запросу
(от 6 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А, 0.225 Вт

Технические параметры

PPAPNo
TypePNP
EU RoHSCompliant
MaterialSi
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.02
PCB changed3
Part StatusActive
Package TypeSOT-23
КорпусSOT23/TO-236AB
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypePNP
Product CategoryBipolar Small Signal
Supplier PackageSOT-23
Структураpnp
Standard Package NameSOT
Minimum DC Current Gain250 100mA 1V|40 500mA 1V
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation300 mW
Supplier Temperature GradeAutomotive
Maximum Operating Frequency100 MHz
Number of Elements per Chip1
Maximum DC Collector Current-500 mA
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage50 V
Maximum Power Dissipation (mW)300
Maximum DC Collector Current (A)0.5
Maximum Emitter Base Voltage (V)5
Maximum Collector Emitter Voltage-45 V
Maximum Collector Base Voltage (V)50
Maximum Transition Frequency (MHz)100(Min)
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)45
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)100
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.7 50mA 500mA

Техническая документация