Моя заявка (0)

BC807-40HR, 45V 250@100mA,1V 320mW 500mA PNP SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS

BC807-40HR, 45V 250@100mA,1V 320mW 500mA PNP SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8073099341
Артикул
BC807-40HR
Бренд
Nexperia B.V.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Series
Automotive, AEC-Q101 ->
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Цена по запросу
(от 8,31 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT TRANS BIPOLAR

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.21.0095
SeriesAutomotive, AEC-Q101 ->
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Вес, г0.04
Power - Max320mW
RoHS StatusROHS3 Compliant
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor TypePNP
УпаковкаReel, Cut Tape
Base Product NumberBC807 ->
ТехнологияSi
Operating Temperature-55В°C ~ 175В°C (TA)
Вид монтажаSMD/SMT
Frequency - Transition80MHz
Supplier Device PackageTO-236AB
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-23-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector (Ic) (Max)500mA
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce250 @ 100mA, 1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)45V
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности540 mW
Другие названия товара №934660831215
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Непрерывный коллекторный ток500 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Максимальный постоянный ток коллектора500 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер700 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.600
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)250
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)80 MHz

Техническая документация