Моя заявка (0)

BC807-25WT1G, Транзистор: PNP, биполярный, 45В, 0,5А, 460Вт, SC70

BC807-25WT1G, Транзистор: PNP, биполярный, 45В, 0,5А, 460Вт, SC70

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8007486560
Артикул
BC807-25WT1G
Бренд
ON Semiconductor***
HTS
8541.29.00.75
Type
PNP
EU RoHS
Compliant
Category
Bipolar Small Signal
Цена по запросу
(от 13,13 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: PNP, биполярный, 45В, 0,5А, 460Вт, SC70 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP

Технические параметры

HTS8541.29.00.75
TypePNP
EU RoHSCompliant
CategoryBipolar Small Signal
MaterialSi
MilitaryNo
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
Frequency100(MHz)
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.05
СерияBC807-25W
PCB changed3
Part StatusActive
Output PowerNot Required(W)
Package TypeSOT-323(SC-70)
Rad HardenedNo
КорпусSOT-23
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Package Width1.24
Package Height0.85
Package Length2.1
DC Current Gain160
Transistor TypePNP
Product CategoryBipolar Small Signal
Supplier PackageSC-70
Power Dissipation0.46(W)
Number of Elements1
Структураpnp
Transistor PolarityPNP
Emitter-Base Voltage5(V)
Operating Temp Range-55C to 150C
ТехнологияSi
Standard Package NameSOT-323
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (DC)0.5(A)
Collector-Base Voltage50(V)
Pd - Power Dissipation460mW
Minimum DC Current Gain40@500mA@1V|160@100mA@1V
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
ПодкатегорияTransistors
Collector-Emitter Voltage45(V)
Maximum Power Dissipation460 mW
Supplier Temperature GradeAutomotive
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSC-70-3
Maximum DC Collector Current500mA
Maximum Emitter Base Voltage-5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Power Dissipation (mW)460
Maximum DC Collector Current (A)0.5
Maximum Emitter Base Voltage (V)5
Maximum Collector Emitter Voltage-45 V
Maximum Collector Base Voltage (V)50
Maximum Transition Frequency (MHz)100(Min)
Collector-Emitter Breakdown Voltage45V
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Operating Temperature ClassificationMilitary
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)45
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности460 mW
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.7@50mA@500mA
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток500 mA
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт0.46
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.5
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Максимальный постоянный ток коллектора500 mA
Статический коэффициент передачи тока h21э мин160…400
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В45
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В50

Техническая документация