Моя заявка (0)

Diodes Inc BC807-25W-7 PNP Transistor, -500 mA, -45 V, 3-Pin SOT-323

Diodes Inc BC807-25W-7 PNP Transistor, -500 mA, -45 V, 3-Pin SOT-323

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8009824466
Артикул
BC807-25W-7
Бренд
DIODES INC.
Pin Count
3
Вес, г
25
Длина
2.2 mm
Серия
BC807
Цена по запросу
(от 11 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г25
Длина2.2 mm
СерияBC807
Package TypeSOT-323(SC-70)
Высота1 mm
Корпусsot-323
Ширина1.35 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypePNP
Структураpnp
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Minimum DC Current Gain160
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation200 mW
Maximum Operating Frequency100 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-323-3
Maximum DC Collector Current-500 mA
Maximum Emitter Base Voltage-6 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage-50 V
Maximum Collector Emitter Voltage-45 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности250 mW
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)45 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.5 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер700 mV
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)160
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz

Техническая документация