BC807-25HR, Bipolar Transistors - BJT SOT23 45V .5A PNP GP TRANS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070030667
- Артикул
- BC807-25HR
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Grade
- Automotive
- Вес, г
- 0.01
- Power - Max
- 320 mW
- Корпус
- SOT23/TO-236AB
Цена по запросу
(от 16,93 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TRANS BIPOLAR
Технические параметры
| Grade | Automotive |
| Вес, г | 0.01 |
| Power - Max | 320 mW |
| Корпус | SOT23/TO-236AB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Структура | pnp |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TA) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA(ICBO) |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 100mA, 1V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 540 mW |
| Другие названия товара № | 934660829215 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 500 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 500 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 700 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 160 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 80 MHz |