Транзистор BC807-16LT1G ON SEMICONDUCTOR
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8072296925
- Артикул
- BC807-16LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Version
- PNP
- Assembly
- SMD
- Category
- Bipolar Small Signal
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 3 ₽)
Минимальный заказ: 715 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ТРАНЗИСТОР, PNP, -45 В, -500 МА, SOT-23-3; Полярность транзистора: PNP; Напряжение коллектор-эмиттер V(br)ceo: -45 В; Частота переxода ft:100 МГц; Рассеиваемая мощность Pd:225 МВт; Ток коллектора постоянного тока:-500 мА; Коэффициент усиления по постоянному току hFE:100hFE; Транзистор Тип корпуса: SOT-23; Количество контактов: 3; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - неограниченный; SVHC: Без SVHC (27 июня 2018 г.); Минимальная рабочая температура:-55°C
Технические параметры
| Version | PNP |
| Assembly | SMD |
| Category | Bipolar Small Signal |
| Mounting | Surface Mount |
| Enclosure | SOT-23 |
| Frequency | 100(MHz) |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.9 |
| Min DC gain | 100 mA |
| Output Power | Not Required(W) |
| Package Type | SOT-23 |
| Rad Hardened | No |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Rated current | 500 mA |
| DC Current Gain | 40 |
| Frequency (Max) | 100 MHz |
| Transistor Type | PNP |
| Collector current | -500 mA |
| Power Dissipation | 0.3(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Saturation voltage | -700 mV |
| Transistor Polarity | PNP |
| Emitter-Base Voltage | 5(V) |
| Max DC amplification | 250 mA |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| DC Current Gain (Min) | 100 |
| Collector Current (DC) | 0.5(A) |
| Collector-Base Voltage | 50(V) |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Transit frequency fTmin | 100 MHz |
| Transistor Configuration | Single |
| Collector-Emitter Voltage | 45(V) |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Collector Current (DC) (Max) | 0.5 A |
| Maximum DC Collector Current | -500 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -45 V |
| Operating Temperature Classification | Military |
| max.voltage between collector and base Vcbo | -50 V |
| max.voltage between collector and emitter Vceo | -45 V |