BC807-16LT1G, Биполярный транзистор SOT-23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025308425
- Артикул
- BC807-16LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Version
- PNP
- Assembly
- SMD
- Category
- Bipolar Small Signal
- Mounting
- Surface Mount
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор биполярный BC807-16LT1G от производителя ONSEMI – высококачественный компонент для вашей электронной аппаратуры. Этот PNP транзистор предназначен для монтажа на поверхность (SMD) и обладает рабочим током коллектора 0,5 А и напряжением коллектор-эмиттер до 45 В, что делает его идеальным выбором для различных схем. Компактный корпус SOT23 обеспечивает легкую интеграцию в печатные платы. Используйте BC80716LT1G для надежной работы и длительного срока службы ваших устройств. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP Монтаж SMD Ток коллектора, А 0.5 Напряжение коллектор-эмиттер, В 45 Корпус SOT23
Технические параметры
| Version | PNP |
| Assembly | SMD |
| Category | Bipolar Small Signal |
| Mounting | Surface Mount |
| Enclosure | SOT-23 |
| Frequency | 100(MHz) |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.03 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | BC807-16L |
| Min DC gain | 100 mA |
| Output Power | Not Required(W) |
| Package Type | SOT-23 |
| Rad Hardened | No |
| Высота | 0.94 mm |
| Корпус | SOT-23 |
| Ширина | 1.3 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Rated current | 500 mA |
| DC Current Gain | 40 |
| Frequency (Max) | 100 MHz |
| Transistor Type | PNP |
| Collector current | -500 mA |
| Power Dissipation | 0.3(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Saturation voltage | -700 mV |
| Transistor Polarity | PNP |
| Emitter-Base Voltage | 5(V) |
| Max DC amplification | 250 mA |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Технология | Si |
| DC Current Gain (Min) | 100 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (DC) | 0.5(A) |
| Collector-Base Voltage | 50(V) |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Transit frequency fTmin | 100 MHz |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Collector-Emitter Voltage | 45(V) |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Collector Current (DC) (Max) | 0.5 A |
| Maximum DC Collector Current | -500 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -45 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Operating Temperature Classification | Military |
| max.voltage between collector and base Vcbo | -50 V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 225 mW |
| max.voltage between collector and emitter Vceo | -45 V |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.5 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.7 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |