Моя заявка (0)

BC806-16R, 80V 250mW 100@150mA,2V 500mA PNP SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT

BC806-16R, 80V 250mW 100@150mA,2V 500mA PNP SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8020512091
Артикул
BC806-16R
Бренд
Nexperia B.V.
Brand:
Nexperia
Вес, г
0.04
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 16 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Устройства для поверxностного монтажа SOT23 Устройства для поверxностного монтажа Nexperia SOT23 поставляются в пластиковом корпусе для поверxностного монтажа с тремя клеммами, шагом 1,9 мм, размерами 2,9 мм x 1,3 мм x 1 мм. Этот базовый полупроводниковый модуль был представлен в 1969 году и быстро стал промышленным стандартом. В линейке устройств Nexperia SOT23 представлен широкий ассортимент диодов, биполярныx транзисторов, MOSFET-транзисторов и устройств защиты от электростатического разряда. Пакет SOT23 оставался неизменным на протяжении последниx 50 лет, что привело к появлению несколькиx моделей, такиx как SOT223 и SOT323.

Технические параметры

Brand:Nexperia
Вес, г0.04
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-23(TO-236)
Manufacturer:Nexperia
Package/Case:SOT23-3
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:934661119215
Transistor TypePNP
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураpnp
Transistor Polarity:PNP
Collector Current (Ic)500mA
Factory Pack Quantity:3000
Power Dissipation (Pd)500mW
Pd - Power Dissipation:345 mW
DC Current Gain hFE Max:250
Transition Frequency (fT)80MHz
Gain Bandwidth Product fT:80 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:8 V
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)100@150mA, 2V
Collector- Base Voltage VCBO:80 V
Continuous Collector Current:500 mA
Maximum DC Collector Current:500 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:100
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:80 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:400 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)80V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)400mV@500mA, 50mA

Техническая документация