Моя заявка (0)

BC63916-D74Z, Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold

BC63916-D74Z, Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8068765793
Артикул
BC63916-D74Z
Бренд
ON Semiconductor***
Case
TO92
Mounting
THT
Frequency
100MHz
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 28 ₽)
Минимальный заказ: 2000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT TO-92 NPN GP AMP

Технические параметры

CaseTO92
MountingTHT
Frequency100MHz
Pin Count3
Вес, г1
Длина:5.2 mm
Серия:BC63916
Current gain25…250
ManufacturerONSEMI
Package TypeTO-92
Polarisationbipolar
КорпусTO-92
Mounting TypeThrough Hole
Высота:5.33 mm
Ширина:4.19 mm
Kind of packageAmmo Pack
Transistor TypeNPN
Collector current1A
Power dissipation0.83W
Упаковка:Ammo Pack
Type of transistorNPN
Структураnpn
Технология:Si
Вид монтажа:Through Hole
Transistor ConfigurationSingle
Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
Collector-emitter voltage80V
Maximum Power Dissipation830 mW
Конфигурация:Single
Подкатегория:Transistors
Number of Elements per Chip1
Производитель:ON Semiconductor
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Торговая марка:ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок:TO-92-3 Kinked Lead
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Emitter Voltage100 V
Категория продукта:Биполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистора:NPN
Pd - рассеивание мощности:1 W
Другие названия товара №:BC63916_D74Z
Размер фабричной упаковки:2000
Напряжение эмиттер-база (VEBO):5 V
Непрерывный коллекторный ток:1 A
Минимальная рабочая температура:- 55 C
Максимальная рабочая температура:+ 150 C
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт0.83
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)1
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:80 V
Максимальный постоянный ток коллектора:1 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:0.5 V
Статический коэффициент передачи тока h21э мин100
Статический коэффициент передачи тока h21э макс250
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.:160
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц100
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В80
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT):100 MHz
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В100

Техническая документация