Моя заявка (0)

BC638TA, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 60 V, 1 A, 1 W, TO-92, Through Hole

BC638TA, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 60 V, 1 A, 1 W, TO-92, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8514123067
Артикул
BC638TA
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
BC638
Pin Count
3
Packaging:
Ammo Pack
Цена по запросу
(от 37 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: PNP, биполярный, 60В, 1А, 800мВт, TO92 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Series:BC638
Pin Count3
Packaging:Ammo Pack
Вес, г0.4
Technology:Si
Package TypeTO-92
Subcategory:Transistors
КорпусTO-92
Manufacturer:onsemi
Mounting TypeThrough Hole
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-92-3 Kinked Lead
Transistor TypePNP
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураpnp
Transistor Polarity:PNP
Pd - Power Dissipation:1 W
DC Current Gain hFE Max:160
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation1 W
Gain Bandwidth Product fT:100 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
Maximum Operating Frequency50 MHz
Number of Elements per Chip1
Maximum DC Collector Current1 A
Maximum Emitter Base Voltage-5 V
Collector- Base Voltage VCBO:60 V
Continuous Collector Current:-1 A
Maximum DC Collector Current:1 A
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage-30 V
Maximum Operating Temperature:+150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min:40
Maximum Collector Emitter Voltage60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:500 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2000
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)1

Техническая документация