BC56-10PASX, Trans GP BJT NPN 80V 1A Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038867072
- Артикул
- BC56-10PASX
- Бренд
- NXP Semiconductor
- PPAP
- Unknown
- Type
- NPN
- Mounting
- Surface Mount
- ECCN (US)
- EAR99
Цена по запросу
(от 37 ₽)
Минимальный заказ: 2256 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 45V/60V/80V 1A NPN medium power trans
Технические параметры
| PPAP | Unknown |
| Type | NPN |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Вес, г | 0.05 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Configuration | Single |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | DFN-D EP |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 63@150mA@2V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | DFN2020D-3 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1650 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 100 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Operating Junction Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 80 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 100 |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 1.65 W |
| Другие названия товара № | 934068132115 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.5@50mA@500mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 at 150 mA, 2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 63 at 150 mA, 2 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 180 MHz |