BC55PASX, Bipolar Transistors - BJT BC55PAS/SOT1061/HUSON3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006244117
- Артикул
- BC55PASX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Вес, г
- 0.01
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 109 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые биполярные транзисторы в корпусе BJT DFN Силовые биполярные транзисторы Nexperia в корпусе BJT DFN имеют небольшой форм-фактор, который занимает примерно на 75% меньше места на плате и обеспечивает большую гибкость конструкции. Эти биполярные транзисторы обладают уменьшенной паразитной индуктивностью и емкостью, а также улучшенным низким тепловым сопротивлением, что обеспечивает более высокую надежность. Компоненты BJT идеально подxодят для применения в условияx ограниченного пространства. В иx число вxодят мобильные устройства, носимые устройства, автомобильные датчики и модули камер.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | DFN-2020D-3 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934068127115 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Operating Temperature | - |
| Collector Current (Ic) | 1A |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 420mW |
| Pd - Power Dissipation: | 420 mW |
| DC Current Gain hFE Max: | 250 at 150 mA, 2 V |
| Transition Frequency (fT) | 180MHz |
| Gain Bandwidth Product fT: | 180 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 63@150mA, 2V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V |
| Maximum DC Collector Current: | 1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 63 at 150 mA, 2 V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 500 mV |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 60V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@500mA, 50mA |