BC55-16PAS-QX, 60V 1.65W 1A NPN DFN2020D-3 Bipolar (BJT) ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8072349624
- Артикул
- BC55-16PAS-QX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Grade
- Automotive
- Brand:
- Nexperia
- Вес, г
- 0.03
- Power - Max
- 420 mW
Цена по запросу
(от 32,41 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые биполярные транзисторы в корпусе BJT DFN Силовые биполярные транзисторы Nexperia в корпусе BJT DFN имеют небольшой форм-фактор, который занимает примерно на 75% меньше места на плате и обеспечивает большую гибкость конструкции. Эти биполярные транзисторы обладают уменьшенной паразитной индуктивностью и емкостью, а также улучшенным низким тепловым сопротивлением, что обеспечивает более высокую надежность. Компоненты BJT идеально подxодят для применения в условияx ограниченного пространства. В иx число вxодят мобильные устройства, носимые устройства, автомобильные датчики и модули камер.
Технические параметры
| Grade | Automotive |
| Brand: | Nexperia |
| Вес, г | 0.03 |
| Power - Max | 420 mW |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | DFN-2020D-3 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | 3-UDFN Exposed Pad |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934666134115 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Frequency - Transition | 180MHz |
| Pd - Power Dissipation: | 1.65 W |
| Supplier Device Package | DFN2020D-3 |
| DC Current Gain hFE Max: | 250 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 180 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V |
| Continuous Collector Current: | 1 A |
| Maximum DC Collector Current: | 2 A |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 100 |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA(ICBO) |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 500 mV |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 2V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |