Моя заявка (0)

BC547CTFR, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Through Hole

BC547CTFR, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8468315522
Артикул
BC547CTFR
Бренд
ON Semiconductor***
Case
TO92
Mounting
THT
Frequency
300MHz
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 29 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

Технические параметры

CaseTO92
MountingTHT
Frequency300MHz
Pin Count3
Вес, г0.24
Длина5.2 mm
СерияBC547
Current gain420…800
ManufacturerONSEMI
Package TypeTO-92
Polarisationbipolar
Высота5.33 mm
КорпусTO-92 | TO-92_Formed Leads
Ширина4.19 mm
Mounting TypeThrough Hole
Kind of packagereel, tape
Transistor TypeNPN
УпаковкаReel, Cut Tape
Collector current0.1A
Power dissipation0.5W
Type of transistorNPN
Структураnpn
Вид монтажаThrough Hole
Minimum DC Current Gain200, 420
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Collector-emitter voltage45V
Maximum Power Dissipation500 mW
Maximum Operating Frequency1 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокTO-92-3 Kinked Lead
Maximum DC Collector Current100 mA
Maximum Emitter Base Voltage6 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage50 V
Maximum Collector Emitter Voltage45 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности500 mW (1/2 W)
Размер фабричной упаковки2000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток0.1 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт0.5
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)100 mA | 0.1
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер250 mV
Статический коэффициент передачи тока h21э мин420
Статический коэффициент передачи тока h21э макс800
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц300
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В45
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)300 MHz
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В50

Техническая документация