Моя заявка (0)

BC516-D27Z, Транзистор PNP, биполярный, Дарлингтон, 30В, 1А, 625мВт, TO92

BC516-D27Z, Транзистор PNP, биполярный, Дарлингтон, 30В, 1А, 625мВт, TO92

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024644649
Артикул
BC516-D27Z
Бренд
ON Semiconductor***
Version
PNP
Assembly
THT
Enclosure
TO-92
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 37 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор PNP, биполярный, Дарлингтон, 30В, 1А, 625мВт, TO92

Технические параметры

VersionPNP
AssemblyTHT
EnclosureTO-92
Pin Count3
Вес, г0.28
Длина5.2 mm
СерияBC516
Package TypeTO-92
Высота5.33 mm
КорпусTO-92
Ширина4.19 mm
Mounting TypeThrough Hole
Rated current1 A
Transistor TypePNP
УпаковкаReel, Cut Tape
Collector current1 A
Power dissipation625 mW
Saturation voltage1 V
Структураpnp
Вид монтажаThrough Hole
Transit frequency fTmin200 MHz
Тип продуктаDarlington Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation625 mW
max. operating temperature150 °C
min. operating temperature-55 °C
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокTO-92-3 Kinked Lead
Maximum Emitter Base Voltage-10 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Emitter Voltage-30 V
Категория продуктаТранзисторы Дарлингтона
max.voltage between collector and base Vcbo40 V
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности625 mW
max.voltage between collector and emitter Vceo30 V
Другие названия товара №BC516_D27Z
Размер фабричной упаковки2000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)10 V
Непрерывный коллекторный ток1 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)40 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимальный ток отсечки коллектора0.1 uA
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт625мВт
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)1
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.30 V
Максимальный постоянный ток коллектора1 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)30000

Техническая документация